172nm光刻及相关半导体加工工艺(Lithography Related)
主要特性
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?新一代紫外波长:172 nm
?光源技术:平面微腔阵列发光
?输出强度: >10mW/cm2
?光刻分辨率:<0.5μm,典型可达0.35μm
?无需光刻胶,有机聚合物直接曝光
?无需超净间,无需预热,无需冷却,无需复杂培训,几乎"零"维护
?杰出的光束均匀度:可用光圈的3%
?寿命长:3000小时曝光,曝光高达60000次(3分钟/次), 使用可达10年
?绿色技术:无汞等有毒易燃气体和物质; 高电-光转换率,节能省电;
?小巧,方便,可放入手套箱


高功率平面真空172 nm 紫外线 —在光处理中更多应用

采用特有的172nm波长,光源技术兼具高功率,以及超乎寻常的均匀性和多功能性,高效能且紧凑的模块化设计。这些革命性的实现都由π2-CYGNI系列真空紫外光处理系统开始。

172纳米全新光处理体系

传统172nm光源的低输出功率阻碍了该波长在研究和生产中的广泛应用。π2-CYGNI 克服了这一障碍,并展示了172 nm的真正实力-全新化学驱动,反应方式和处理技术。

全新功率驱动

紫外线弧光灯能提供高平均功率, 准分子紫外线源提供高光子通量。π2-CYGNI 提供高平均功率和高光子通量- 无需有源或外部冷却。 把高功率和高光子通量这种独特组合,封装在手掌大的盒子中,实现其他光源不易完成的大面积反应和处理。

全新发光技术

每套 π2-CYGNI系统的核心是它超薄的(< 4mm)平面微腔光源。与传统的弧光放电灯相比,这种广域照射产生了卓越的均匀性,同时又消除了对复杂聚光、准直和均化等光学器件的要求,使设备更加小巧,在一般实验室的适应成为可能。

全新光刻工艺--无需昂贵的光刻胶、无需显影

π2-CYGNI消除了对特定光刻胶的需求,由于172nm光具有高能量(每光子7 . 2eV),现在可以将有机聚合物用作光刻胶!由于有机膜质量减少,在曝光期间产生图像,因此消除了对单独显影步骤的需要,也避免光刻胶经显影后不易剥离(liftofff)的难题。



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