172nm光刻及相关半导体加工工艺(Lithography Related)
主要特性
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?高分辨率对准和曝光系统,小型、桌面式?经典设计,高精度、高稳定性、操作简单
?扩展光刻胶和衬底的材料范围,打破传统光刻工艺的限制
?一致的、高质量的曝光结果,零培训、零基础即可操作
?无需超净间、任何地点都可以光刻;低功耗、可选电池供电
?搭建即可运行,牢固的机械结构和光学器件,无需额外维护和校准
?应用领域: 半导体、微流控、生物芯片、光学器件,及更多应用领域


高精度光刻--实现如此简单

使用简洁的设计和简约的方法,α-line重新定义了的手动对准系统的性能期望和价格范围。利用CygnusPhotonic新的π-Photon 172nm光源,α-line简化了传统的高分辨率光刻,并引入了现有对准系统不易实现的新处理能力。

α-line是一款通用型手动对准和曝光系统,使准直机(aligner)的应用领域不再局限于微电子和传统光刻胶。采用厂家新技术,可以直接在各种有机物例如PMMA、ABS或其他有机材料上进行光刻,使α-line成为MEMS、微流控、生物工程和生命科学等研究领域的理想工具。

样品/衬底
最大尺寸: 最小尺寸: 最大厚度(掩膜版+样品)
50 mm × 50 mm (2” × 2”)
10 mm × 10 mm (0.4” × 0.4”)
8 mm
掩膜版尺寸
75 mm × 75 mm (3” × 3”) 定制尺寸 (可选)
样品对准 行程
X,Y:
Theta:
分辨率
X, Y:
Theta:±6 mm±10 ° (coarse), ±3 ° (Fine)<1.5 μm (<0.5 μm optional) 2 ×10-4 °
功率要求:
电压: 功耗:
12 VDC, 110/220 V AC
(12 VDC adapter included)
<20 W
Utilities
Vacuum (optional): Compressed air (optional):
<-0.2 bar
>1.1 bar
曝光模式:
软接触, 硬接触
尺寸
宽/深/高:
205/230/400 mm
重量:
<12 kg (26.5 lb)曝光波长(需要π-Photon, 单独出售):
172 nm /222 nm /308 nm



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